Samsung Электроникс Тус салбарын хамгийн багтаамжтай 12нм DDR5 DRAM 32Gb санах ойн чипүүдийг танилцуулсан бөгөөд энэ нь хиймэл оюун ухааны эрин үед маш тохиромжтой гэж үзэж байна. Үүнээс өмнө тус компани зөвхөн TSV суурилуулсан 32 Гбит талстуудыг нэг нэгээр нь байрлуулсан 16 Гбит чип үйлдвэрлэж чаддаг байв. "Нэг хэсэг" 32 Гб DDR5 чипийг 16 Гб чиптэй нэг багцад гаргаснаар хэрэглээг бууруулж, 1 TB санах ойн модулиудын ирээдүйтэй замыг нээх болно.
Тооцооллын дагуу Samsung, Давхар хүчин чадалтай DDR5 чипүүд нь 10 ГБ DDR128 модулийн хэрэглээг 5%-иар бууруулна. Тус компани 12 нм 16 Гбит DDR5 DRAM үйлдвэрлэж эхэлснээ тун саяхан буюу энэ оны тавдугаар сард зарласан нь сонирхолтой юм. Одоогийн мэдэгдэл нь 32 Гбит чипийг бөөнөөр нь үйлдвэрлэж эхэлнэ гэсэн үг биш юм. Тус компани энэ оны сүүлээр л үйлдвэрлэлээ эхлүүлнэ гэж амлаж байна. Цуваа нийлүүлсэн чипүүдийн хүчин чадлыг 32 Гбит хүртэл нэмэгдүүлснээр санах ой үйлдвэрлэгчдэд 5 ГБ багтаамжтай DDR64 модулиудыг, 1 ТБ хүртэлх хэмжээтэй серверийн загваруудыг гаргахад шилжих боломжтой болно.
"12нм 32Гб ангиллын DRAM-ыг бүтээснээр бид 1TB хүртэлх DRAM модулиудыг үйлдвэрлэх боломжийг олгосон шийдлийг гаргаж өгсөн бөгөөд энэ нь хиймэл оюун ухаан, том компьютерийн эрин үед өндөр хүчин чадалтай DRAM-ын өсөн нэмэгдэж буй эрэлтийг хангах төгс боломжийг бидэнд олгож байна. "Өгөгдөл" гэж Sun хэлэв. Jun Hwang, компанийн DRAM бүтээгдэхүүн, технологийн хэлтсийн гүйцэтгэх дэд ерөнхийлөгч Samsung Электроник. "Бид санах ойн технологийн хил хязгаарыг давахын тулд ялгавартай үйлдвэрлэлийн процесс, дизайны технологид суурилсан DRAM шийдлүүдийг үргэлжлүүлэн хөгжүүлэх болно."
Одоогийн байдлаар SK hynix, Micron зэрэг санах ой үйлдвэрлэгчид зөвхөн 24 Гб DDR5 чипийг санал болгодог бөгөөд энэ нь 96 ГБ хүртэлх масстай модулиудыг ашиглах боломжийг олгодог боловч Samsung хүчин чадлыг нэг шат ахиулж, гурав дахь илүү нягт шийдлийг санал болгож байна. Гэсэн хэдий ч Micron компани 5Gb DDR32 чип дээр ажиллахаа албан ёсоор зарлаагүй байгаа ч замын зураглалдаа оруулсан байна.
Түүний түүхийн төлөө Samsung RAM-ийн хязгаарыг 500 дахин өргөжүүлсэн. Тус компани 64 онд анхны (1983 Кбит) санах ойг танилцуулсан. Сүүлийн 40 жилийн хугацаанд энэ нь бичил схемийн хүчин чадлыг гайхалтай олон дахин нэмэгдүүлсэн бөгөөд тэр үед цөөхөн хүн бодож ч чадахгүй байв.
Мөн уншина уу:
- SK hynix нь дэлхийн хамгийн хурдан санах ой болох HBM3E-г 1,15 TB/s хурдтайгаар бүтээжээ.
- Huawei хориг арга хэмжээний хүрээнд чипний үйлдвэрүүдийн нууц сүлжээ байгуулж байна