Samsung Электроникс DRAM үйлдвэрлэлд гарсан нээлтийн ачаар 1 TB DDR5 санах ойг нэг модульд гаргахаар зорьж байна.
Өмнөд Солонгосын компани боловсруулсан санах ойн салбарын анхны 32 гигабит (ГБ) DDR5 RAM нь хамгийн өндөр хүчин чадалтай, 12 нм процессыг ашигладаг. Үүний ачаар Samsung 5TB DDR1 санах ойн модулиудыг үйлдвэрлэх боломжтой боловч 32 ГБ DRAM руу шилжих нь бас нэг давуу талтай. 5нм процесс ашиглан үйлдвэрлэсэн одоо байгаа 16GB DDR12 DRAM модулиудтай харьцуулахад 128GB модулиудын эрчим хүчний хэрэглээ 10%-иар буурах болно.
DRAM-ийн бүтээгдэхүүн, технологи хариуцсан дэд ерөнхийлөгч Санг Жун Хваны хэлснээр Samsung Электроникийн хувьд энэ санах ойн гол хэрэглэгчид нь өгөгдлийн төвүүд, хиймэл оюун ухаан, том өгөгдөл байх болно: "32 нм ангиллын 12 гигабайт DRAM санах ойн ачаар бид DRAM модулиудыг бий болгох шийдлийг олж авлаа. 1 TB хүртэлх багтаамжтай бөгөөд энэ нь хиймэл оюун ухаан (хиймэл оюун ухаан) болон том өгөгдлийн эрин үед өндөр хүчин чадалтай RAM-ийн өсөн нэмэгдэж буй хэрэгцээг хангахад хамгийн тохиромжтой байрлалыг бий болгох боломжийг олгоно ... Бид үйлдвэрлэлийн ялгаатай процессуудыг ашиглан DRAM шийдлүүдийг үргэлжлүүлэн хөгжүүлэх болно. санах ойн технологийн хил хязгаарыг давах технологийг зохион бүтээх."
Бага зайд, эрчим хүчний хэрэглээ багатай илүү их санах ой нь дата төвийн операторуудын дунд үргэлж алдартай байх болно. Гэсэн хэдий ч энэхүү санах ойн технологи нь бидний ширээний компьютер болон зөөврийн компьютерт ашигладаг DDR5 модулиуд руу шилжих ёстой. Одоогийн байдлаар дөрвөн модулиас бүрдэх 192 ГБ санах ойн иж бүрдэл нь хэрэглэгчдийн хувьд хамгийн өндөр түвшин юм.
Мөн уншина уу: